在数字时代，内存容量与使用体验的矛盾，是每一个消费者都曾面临的困扰：大容量内存带来流畅体验，却伴随着高昂成本；小容量内存经济实惠，却常因卡顿、后台受限影响使用。而在产业层面，我国存储器芯片高度依赖进口，传统内存与外存的技术鸿沟难以逾越，严重威胁国家信息安全，成为集成电路产业发展的主要“卡脖子”难题之一。面对这一民生痛点与国家需求，集成电路学院教授、2026年“湖北青年五四奖章”获得者童浩，从研究生阶段便锚定方向，在三维相变存储器技术领域一钻就是二十年，用坚守与创新，寻找无需取舍的存储解决方案。

锚定创新赛道，走出差异化攻坚路

自研究生时期起，童浩便在缪向水教授指导下，投身三维相变存储器技术的研发，从此与这项关乎国家信息安全的核心技术结下不解之缘。“存储芯片是内存条、固态硬盘等存储设备的关键支撑，下一代存储技术的突破，要么优化现有路线，要么实现架构创新。”童浩深知，想要真正破解存储困境，必须走出一条差异化创新之路。他果断选择后者，将研究重点锁定在兼具大容量与高速度的新一代存储技术，立志打破传统存储架构的局限。

攻克技术瓶颈，解锁存储核心优势

三维相变存储器的核心魅力，在于模糊了内存与外存的传统界限，其技术核心是利用材料的相态转变实现数据存储，兼具非易失性（断电后数据不丢失）、大容量、性能接近内存等显著优势，恰好弥补了传统内存（易失、容量有限）与外存（非易失、速度较慢）之间的技术鸿沟。但这条创新之路布满荆棘，从材料特性研究到架构设计优化，从实验室原型到产业化应用，每一步都面临着未知的挑战。

“三维相变存储器技术正经历持续演进，目标是兼具大容量和高性能的存储级内存（SCM）。”为了实现这一目标，童浩带领团队攻坚克难，解决了材料界面混合、稳定性不足等产业化瓶颈，使器件耐久性提升100倍；相较于现有的闪存技术，其研发的三维相变存储器在读写速度、使用寿命等方面实现数量级提升，读写速度较普通闪存提升可达1000倍，寿命也大幅延长。

成果落地赋能，实现国产替代突破

经过二十年的潜心钻研，团队的研发成果迎来丰收。他们参与研制的国内首款三维相变存储器原型芯片，基于该技术，合作企业已成功实现国产首款64Gb三维相变存储器芯片“NM101”量产。如今，这项“硬核”技术已走出实验室，在国内互联网头部企业的数据中心得到实际应用，相关产品成功实现存储芯片产品的国产替代，显著降低了我国对国外存储技术的依赖，为国家信息安全筑牢屏障。

坚守初心使命，领航青年科研力量

在科研道路上，童浩始终坚守科研为民、科技报国的初心，主持十余项国家级、省部级项目，授权发明专利120余项（其中美国发明专利15项），发表SCI论文90余篇，先后荣获华为奥林帕斯先锋奖、湖北省技术发明一等奖、日内瓦国际发明展评审团特别嘉许金奖等多项荣誉。他不仅深耕科研，更重视教书育人，获评“我最喜爱的教师班主任”“湖北省优秀学士学位论文指导教师”，用言传身教培养新一代存储领域青年人才。

“如果新型存储器能够实现非易失性且性能逼近内存，‘统一存储’的目标就将实现，届时程序将不再需要区分内存与外存。”童浩坚信，只要坚守初心、久久为功，就没有攻克不了的技术难关。二十载风雨兼程，从青春学子到行业骨干，童浩用二十年磨一剑的坚守，在存储领域实现从跟跑到领跑的突破；用科技创新的力量，破解民生痛点、守护国家信息安全。他以实际行动诠释了新时代青年科技工作者的责任与担当，为青春奋斗写下生动注脚，也为我国集成电路产业高质量发展注入强劲青春动能。

编辑：刘雪茹

来稿审核：王贝贝

审核：万霞、史梦诗

审定发布：詹健