新闻网讯 4月18日，中国电子学会科学技术奖励大会在汉举行。由武汉光电国家研究中心戴江南教授牵头完成的“大功率半导体紫外LED光源核心技术及产业化”项目，荣获2025年度中国电子学会科学技术奖科技进步奖一等奖。项目核心成员包括光电信息学院陈长清教授、清华大学汪莱教授、长飞光纤光缆股份有限公司熊良明博士。

该项目由我校与清华大学、华中科技大学鄂州工业技术研究院、武汉优炜芯科技有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、厦门大学、北京京东方光电科技有限公司、广东美的制冷设备有限公司、泉州三安半导体科技有限公司等9家单位共同完成。主要完成人包括戴江南、陈长清、汪莱、熊良明、杨洋、郑刚、尹君、彭洋、王永忠、刘东子、彭孟、张骏、王卿、靖瑞宽、臧雅姝等15人。项目面向国家重大战略需求，历时近二十年，聚焦半导体高效紫外光源芯片关键技术及应用，攻克了材料外延、芯片制备、器件封装、光源集成等关键核心难题，其中高效率紫外光源芯片出光调控技术和大功率紫外光源封装集成技术达到国际领先水平。项目成果已在行业头部企业的高端产品中成功转化应用推广，经济效益显著，并服务于航天科工、国防军工等国家重大工程，打破国外技术垄断，推动我国半导体紫外光源技术从“跟跑”到“领跑”的跨越。

王沙飞院士、周志鑫院士共同为科技进步一等奖获得者颁奖，右四为领奖人戴江南教授

中国电子学会科学技术奖是国家奖励办批准设立的我国电子信息领域重要社会科技奖项，2025 年度共评选出各类获奖成果187项，其中自然科学奖、技术发明奖、科技进步奖一等奖共40项，聚焦光通信、量子科技、6G、人工智能、集成电路等前沿领域。本次戴江南团队牵头的获奖项目是2025年度华中地区唯一获评该奖项一等奖的项目，也是2012年至今半导体紫外光源芯片领域唯一获此一等奖的项目。